韩国存储器产业正面临来自中共的严峻挑战。韩媒《Hankyung》报道，中共存储器企业通过挖角韩国人才与窃取技术，技术水平突飞猛进，威胁韩国半导体产业龙头地位。中共企业不仅从三星电子和SK海力士挖走大量专业人才，还涉嫌窃取高带宽内存（HBM）等尖端技术，甚至绕过美国制裁，以高出市场价1.7至2倍的价格从韩国疯狂采购设备，引发韩国业界震动。

根据市场研究机构TrendForce数据，2025年第一季度，中共长江存储在全球NAND闪存市场市占率达8.1%，位列第六，首次获得官方确认。排名前五的分别为三星电子（31.9%）、SK海力士（16.6%）、美光（15.4%）、铠侠（14.6%）和SanDisk（12.9%）。业内人士预测，若按此速度发展，长江存储将在未来一两年内追平SK海力士和美光，跻身全球顶尖行列。在DRAM领域，中共长鑫存储市占率已达4.1%，位列第四，前三名为SK海力士（36%）、三星电子（33.7%）和美光（24.3%），打破了DRAM市场长期以来的三强鼎立局面。

韩半导体业界对TrendForce的报告深感震惊。专家警告，中共“红色内存”入侵才刚刚开始，凭借庞大的国内市场需求和快速提升的技术实力，中共存储器企业正迅速崛起。长江存储已开发出约300层的NAND产品，与三星技术水平相当；长鑫存储则在研发第四代高带宽内存（HBM3）。市场预计，2025年下半年，长江存储有望跻身全球NAND市场前三，长鑫存储也将与三星、SK海力士和美光并列全球四大DRAM厂商。首尔国立大学教授黄哲成（音译）警告，10年内，全球DRAM领导地位可能从韩国转移至中共。

为规避美国制裁，中共存储器企业以高价从韩国采购设备。报道披露，中共企业以高出原价70%的价格下紧急订单，囤积生产LPDDR5和HBM等先进产品所需设备。一家韩国半导体设备公司代表透露，中共企业正加大对HBM3等下一代半导体设备的需求。由于全球超90%的半导体设备市场由美国应用材料公司、科林研发及日本东京威力科创等掌控，韩国设备因受美国监管较少，成为中共通过第三国采购的替代方案。

中共存储器企业技术进步的关键在于挖角与技术窃取。报道指出，中共企业频频从三星和SK海力士挖角高端人才，并涉嫌窃取HBM等尖端技术。此类事件不仅限于韩国，荷兰国防部长Kajsa Ollongren近期向路透社表示，中共正加强对半导体技术的间谍活动，业界怀疑其试图窃取ASML的EUV技术。

韩国半导体产业正面临前所未有的危机。中共存储器企业凭借政策支持、资金优势与不择手段的技术获取方式，正迅速缩小与韩企的技术差距。专家呼吁，韩国需采取紧急措施，保护核心技术与人才，以应对中共“红色内存”的全面挑战。